Novi doktorski studij

Uredovno vrijeme

Uredovno vrijeme za studente je radnim danom od 12 do 14 sati. U navedenom vremenu vrata hodnika Odjela za fiziku (prizemlje i prvi kat) bit će otključana, dok ulaz na suteren studentima nije dozvoljen. 

Laboratorij za fiziku površina i materijala



Zajednički Laboratorij Odjela za fiziku i Centra za mikro i nano znanosti i tehnologije Sveučilišta u Rijeci

O-S20, O-119, O-120

Tel: (051) 584 762



DJELATNICI LABORATORIJA

mladen_petravic_2.jpg    
Prof.dr.sc. Mladen Petravić, redoviti profesor
e-mail: mpetravic@phy.uniri.hr


Curriculum vitae (.pdf)

 
     
  Dr. sc. Ivana Jelovica Badovinac, docent
e-mail: ijelov@phy.uniri.hr

Curriculum vitae(.pdf)
     
 

Dr. sc. Aleš Omerzu, docent

Curriculum vitae (.pdf)

Ured: O-821
Tel: (051) 584 634
E-mail: aomerzu@phy.uniri.hr

     
alt   Dr. sc. Robert Peter,  docent
e-mail: rpeter@phy.uniri.hr

Curriculum vitae (.pdf)
     
  Dr. sc. Ivna Kavre Piltaver, viši asistent
e-mail:ivna.kavre@uniri.hr
ivna.kavre@uniri.hr

Curriculum vitae (.pdf)
     
  Dr. sc. Iva Šarić,
viši asistent

e-mail: iva.saric@phy.uniri.hr


Curriculum vitae (.pdf)
     




ISTRAŽIVANJA

Teme istraživanja uključuju:

  • modifikaciju površina složenih poluvodičkih spojeva ionskim snopovima

  • karakterizaciju defekata u složenim poluvodičkim spojevima metodama apsorpcije X-zraka


   Istraživanja unutar Laboratorija ujedinjuju međunarodnu grupu znanstvenika na ispitivanju uloge defekata u poluvodičkim spojevima, poput dušikovih spojeva, pogodnih za široki krug primjena, od optoelektronike do novih izvora energije ili pohranjivanja goriva.

   Novina sadržana u u ovim istraživanjima odnosi se na potpuno novi pristup u direktnoj identifikaciji i analizi dušikovih defekata pomoću analitičkih metoda utemeljenih na sinhrotronskom zračenju. Ovaj će pristup unaprijediti naše temeljno znanje o defektima i olakšati inovacije u tehnologiji poluvodičkih spojeva.

   Dušikovi poluvodiči su trenutačno od velikog znanstvenog i tehnologijskog interesa zbog njihovih novih fizikalnih svojstava i imaju veliki potencijala za primjenu u novim tehnologijama, od laserskih uređaja za optičku telekomunikaciju do izrade visokodjelotvornih sunčevih ćelija ili nanocjevčica za pohranu vodika.

   Dušikova uloga u ovim spojevima je važna i fascinirajuća. Kao razrijeđeni substitucijski element u III-N-V spojevima, poput GaNAs, dušik uzrokuje dramatično smanjenje energetskog procjepa kojeg premješta u blisko infracrveno područje. Istovremeno uzrokuje promjenu u veličini konstante rešetke, koja se približava  vrijednosti silicija, što otvara mogućnost integracije na jedinstvenoj podlozi mikroelektronike utemeljene na Si i optoelektronike utemeljene na III-V tehnologiji. Od presudne važnosti za uspostavu ovakvih integriranih uređaja je povećanje dušikove koncentracije bez neželjene degradacije optičkih i elektronskih svojstava.

   Potpuno ostvarenje potencijala dušikovih poluvodiča u navedenim primjenama zahijeva temeljno razumijevanje dušikovih defekata, koji su prisutni u spojevima ili se u njih unose u različitim koracima obrade, jer upravo oni mogu kritički utjecati na svojstva poluvodičkih spojeva i uređaja. U našim istraživanjima koristimo metode za direktno opažanje i karakterizaciju dušikovih defekata, poput intersticijskih ili supstitucijskih atoma, ili pak dušikovih molekula i njihove uloge u svojstvima poluvodičkih spojeva, koristeći fotoemisiju ili apsorpciju x-zraka, utemeljenu na sinhrotronskom zračenju ili laboratorijskom izvoru, te elektronsku mikroskopiju. Defekte uvodimo pomoću ionskih snopova korištenjem iona dušika, argona, kisika ili vodika.   

   Ključna informacija za identifikaciju defekata je položaj njhovih energetskih razina, koje određujemo iz apsorpcijskih spektara. Dodatnu potvrdu za postojanje određenih defekata dobivamo iz teorijskih simulacija tih spektara uz uporabu ab initio programa temeljenih na teoriji višestrukog raspršenja (FEFF, Wien2k). Za direktno opažanje i karakterizaciju molekularnog dušika koristimo visokorazlučiva apsorpcijska mjerenja x-zraka, fotoemisiju i elektronsku mikroskopiju.




EKSPERIMENTALNA OPREMA





   Uređaj za spektrometriju fotoelektrona x-zrakama (X-ray Photoelectron Spectrometer, XPS)


   Maseni spektrometar sekundarnih iona (Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)


   Pretražni elektronski mikroskop (Scanning Electron Microscope, SEM)


   Oprema za pripremu SEM uzoraka



   Uredjaj za depoziciju atomskih slojeva (Atomic Layer Deposition, ALD)


 



PUBLIKACIJE LABORATORIJA

1. V.A.Coleman, M.Petravic, K.-J.Kim, B.Kim and G.Li, Near-edge X-ray absorption fine-structure studies of GaN under low-energy nitrogen ion bombardment, Appl.Surf.Sci. 252, 3413 (2006).

2. M.Petravic, P.N.K.Deenapanray, V.A.Coleman, K-J.Kim, B.Kim, C.Jagadish, K.Kioke, S.Sasa, M.Inoue and M.Yano, Characterisation of nitrogen in ZnO by near-edge x-ray absorption fine structure and core-level photoemission spectroscopies, Surface Sci. 600,  L81 (2006).

3. M.Petravic, P.N.K.Deenapanray, M.D.Fraser, A.V.Soldatov, Y.-W.Yang, P.A.Anderson and S.M.Durbin, Direct observation of defect levels in InN by soft x-ray absorption, J.Phys.Chem. B110, 2984 (2006).

4. M.Petravic, Q.Gao, D.Llewellyn, P.N.K.Deenapanray, D.Macdonald and C.Crotti, Broadening of vibrational levels in x-ray absorption spectroscopy of molecular nitrogen in compound semiconductors, Chem.Phys.Lett. 425, 262 (2006).

5. P.L.Gareso, M.Buda, M.Petravic, H.H.Tan and C.Jagadish, Effect of rapid thermal annealing on the atomic intermixing of Zn- and C-doped InGaAs/AlGaAs quantum well, J.Electrochem.Soc. 153, G879 (2006).

6. A.V.Soldatov, A.Guda, A.Kravtsova, M.Petravić, P.N.K.Deenapanray, M.D.Fraser, Y.-W.Yang, P.A.Anderson and S.M.Durbin, Nitrogen defect levels in InN: XANES study, Rad. Phys. Chem. 75, 1635 (2006).

7. J.Yu, Y.Chen, R.G.Elliman and M.Petravic, Isotropically enriched 10BN nanotubes, Advanced Materials 18, 2157 (2006).

8. A.Bozanic, Z.Majlinger, M.Petravic, Q.Gao, D.Llewellyn, C.Crotti, and Y.-W.Yang, Characterisation of molecular nitrogen in III-V compound semiconductors by near-edge X-ray absorption fine structure and photoemission spectroscopies, J.Vac.Sci.Technol. A 26, 592 (2008).

9. Z.Majlinger, A.Bozanic, M.Petravic, K.-J.Kim, B.Kim and Y.-W.Yang, Formation of nitrides on nitrogen-bombarded GaAs surfaces, J.Appl.Phys. 104, 063527 (2008).

10. A.Bozanic, M.Petravic, L.-J.Fan, Y.-W.Yang, and  Y.Chen, Direct observation of defect levels in hexagonal BN by soft x-ray absorption spectroscopy, Chem.Phys.Lett. 472, 190 (2009).

11. Z.Majlinger, A.Bozanic, M.Petravic, K.-J.Kim, B.Kim and Y.-W.Yang, NEXAFS and XPS study of GaN formation on ion-bombarded GaAs surfaces, Vacuum 84, 41 (2009).

12. A.Bozanic, Z.Majlinger, M.Petravic, Q.Gao, D.Llewellyn, C.Crotti, Y.-W.Yang, K.-J.Kim and B.Kim, Characterisation of molecular nitrogen in ion-bombarded compound semiconductors by synchrotron-based absorption and emission spectroscopies, Vacuum 84, 37 (2009).

13. R.Peter, A.Bozanic, M.Petravic, Y.Chen, L.-J.Fan, and Y.-W.Yang, Creation of defects in hexagonal boron nitride by low energy ion bombardment, J.Appl.Phys. 106, 083523 (2009).

14. M.Petravic, Z.Majlinger, A.Bozanic, Y.-W.Yang, Q.Gao, and C.Crotti, Characterisation of nitrogen-related defects in compound semiconductors by near-edge x-ray absorption fine structure measurements, "Proceedings of 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, COMMAD’08", L.Faraone et all., Eds. (IEEE, New York, 2009) p.98-100.

15. M.Petravic, R.Peter, L.-J.Fan, Y.-W.Yang, and Y.Chen, Direct observation of defects in hexagonal boron nitride by near-edge X-ray absorption fine structure and X-ray photoemission spectroscopy, Nucl.Instrum.Meth. A 619, 94 (2010).

16. M.Petravic, R.Peter, I.Kavre, L.Li, Y.Chen, L.-J.Fan and Y.-W.Yang, Decoration of nitrogen vacancies by oxygen atoms in boron nitride nanotubes, Phys.Chem.Chem.Phys. 12, 15349 (2010).

17. M.Petravic, R.Peter, I.Kavre, L.Li, Y.Chen, L.-J.Fan and Y.-W.Yang, Decoration of nitrogen vacancies by oxygen atoms in boron nitride nanotubes, "Proceedings of 2010 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, COMMAD 2010", H.Tan, Ed. (IEEE, 2010) p.217-218.

18. L.H.Li, Y.Chen, G.Behan, H.Zhang, M.Petravic, and A.M.Glushenkov, Large-scale mechanical peeling of boron nitride nanosheets by low-energy ball milling, J.Mater.Chem. 21, 11862 (2011). 

19. R.Peter, D.Šegota, and M.Petravić, Point defects in gallium nitride: x-ray absorption measurements and multiple scattering theory, Appl.Phys.Lett. 99, 172107 (2011).

20. Z.Grubač, I.Šugor-Rončević, M.Metikoš-Huković, R. Babić, M.Petravić, and R.Peter,  Surface modification of biodegradable magnesium alloys, J. Electrochem. Soc. 159, C253 (2012)

21. D.Iveković, H.Vlašić Trbić, R.Peter, M.Petravić, M.Ceh and B.Pihlar , Enhancement of stability of Prussian blue thin films by electrochemical insertion of Ni2+ ions:  A stable electrocatalytic sensing of H2O2 in mild alkaline media, Electrochim. Acta 78, 452 (2012).

22. L.Li, L.H.Li, Y.Chen, X.J.Dai, T.Xing, M.Petravić, and X.Liu, Mechanically Activated Catalyst Mixing for High Yield Boron Nitride Nanotube Growth, Nanoscale  Research Lett. 7, 417 (2012). 

23. Z.Petrović, M.Metikoš-Huković, R.Peter, and M.Petravić, Surface Modification of Iron for Corrosion Protection: Kinetics of Anodic Film Formation and  Electroreduction', accepted, Int.J.Electrochem. (2012).            Electroreduction, Int.J.Electrochem.Sci. 7, 9232 (2012).

24. L.H.Li, M.Petravić, B.C.C.Cowie, T.Xing, R.Peter, Y.Chen, C.Sei, and W.Duan, High-resolution x-ray absorption studies of core excitons in hexagonal boron nitride, Appl.Phys.Lett. 101, 191604 (2012).

25. Z. Grubač, M. Metikoš-Huković, R. Babić, I. Škugor Rončević, M. Petravić, and R. Peter, Functionalization of biodegradable magnesium alloy implants with alkylphosphonate self-assembled films, Materials Science and Engineering: C 33, 2152 (2013).

26. T.Xing, X.Hou, L.H.Li, S.Zhou, R.Peter, M.Petravić, and Y.Chen, Disorder in ball-milled graphite revealed by Raman spectroscopy, Carbon 57, 515 (2013).

27. M.Petravić, R.Peter, M.Varašanec, L.H.Li, Y.Chen, and B.C.C.Cowie, Vibronic fine structure in high-resolution x-ray absorption spectra from boron nitride nanotubes, J.Vac.Sci.Technol. A 31, 031405 (2013).

28. S.Sopčić, R.Peter, M.Petravić and Z.Mandić, New insights into the mechanism of pseudocapacitance deterioration in electrodeposited MnO2 under negative potentials, J.Power Sources 240, 152 (2013). 

29. M.Metikoš-Huković, R.Babić, Z.Grubač, M.Petravić, and R.Peter, Potental Assisted Formation and Characterization of Hydroxyapatite Coatings on Biodegradable Magnesium Alloys, J.Electrochem.Soc. 160, H674 (2013). 

30. J.Katić, M.Metikoš-Huković, S.D.Skapin, M.Petravić, and M.Varašanec, The potential-assisted deposition as valuable tool for producingfunctional apatite coatings on metallic materials, Electrochim. Acta 127, 173 (2014).

31. M.Petravić, M.Varašanec, R.Peter, I.Kavre, M.Metikoš-Huković, and Y.-W.Yang, Electronic structure of Nitinol surfaces oxidized by low-energy ion bombardment, J.Appl.Phys. 115, 243703 (2014).

32. F.Faraguna, R.Peter, V. Volovsek, A. Jukić, Synthesis and characterisation of alkyl ester functionalized multiwall carbon nanotubes, Journal of nanoscience and nanotechnology, 14, 8, 6347 (2014).


33. J.Katić, M.Metikoš-Huković, R.Peter, and M.Petravić, The electronic structure of the Ni(OH)2 films: Influence on the production of the higheperformance Niecatalyst surface, J.Power Sources 282, 421 (2015). 

34. I.Šarić, R. Peter, I.Kavre, I.Jelovica Badovinac, and M.Petravić, Oxidation of nickel surfaces by low energy ion bombardment, Nucl.Instrum.Meth. B 371, 286 (2016).

35. D.Sačer, D.Čapeta. I.Š.Rakić, R.Peter, M.Petravić, and M.K.Roković, Tayloring polypyrrole supercapacitive properties by intercalation of GO within the layer, Electrochim. Acta 193, 311 (2016).

36. J.Katić, M.Metikoš-Huković, I.Šarić, and M.Petravić, Semiconducting properties of the oxide films formed on tin: capacitive and XPS studies, J.Electrochem.Soc. 163, C221 (2016).

37. I.Šarić, R. Peter, and M.Petravić, Oxidation of cobalt by oxygen bombardment at room temperature, J.Phys.Chem. C 120, 22424 (2016).

38. 
I.Šarić, R.Peter, I.Kavre Piltaver, I.Jelovica Badovinac, K.Salamon, and M.Petravić, Residual chlorine in TiO2 films grown at low temperatures by plasma enhanced atomic layer deposition, Thin Solid Films 628, 142 (2017).

39.
 I.Kavre Piltaver, R.Peter, I.Šarić, K.Salamon, I.Jelovica Badovinac, K.Koshmak, S.Nannarone, I.Delač Marion, and M.Petravić, Controlling the grain size of polycrystalline TiO2 films grown by atomic layer deposition, Appl.Surf.Sci. 419, 564 (2017).

40. S.Kraljević Pavelić, V.Micek, A.Filošević, D.Gumbarević, P.Žurga, A.Bulog, T.Orct, Y.Yamamoto, T.Preočanin, J.Plavec, R.Peter, M.Petravić, D.Vikić-Topić, and K.Pavelić, Novel, oxygenated clinoptilolite material efficiently removes aluminium from aluminium chloride-intoxicated rats in vivo, Micropor.Mesopor.Mater. 249, 146 (2017).

41. 
J.Katić, M.Metikoš-Hukovića, I.Šarić, and M.Petravić, Electronic structure and redox behavior of tin sulfide films potentiostatically formed on tin, J.Electrochem.Soc. 164, C383 (2017).

42. R.Peter, I.Šarić, I.Kavre Piltaver, I.Jelovica Badovinac, and M.Petravić, Oxide formation on chromium metal surfaces by low-energy oxygen implantation at room temperature, Thin Solid Films 636, 225 (2017).

43. R.Peter, I.Šarić, and M.Petravić, Enhanced Oxidation of Nickel at Room Temperature by Low-energy Oxygen Implantation, Croat.Chem.Acta 90, 2 (2017).

44. I.Kavre Piltaver, I.Jelovica Badovinac, R.Peter, I.Šarić, and M.Petravić, Modification of molybdenum surface by low-energy oxygen implantation at room temperature, Appl.Surf.Sci. 425, 416 (2017).