Istraživanja Laboratorija za tanke filmove

  • Istraživanje svojstava različitih poluvodičkih ili izolatorskih filmova dobivenih tehnikom depozicijom atomskih slojeva. 
Prilikom narastanja poluvodičkih ili izolatorskih filmova tehnikama depozicije atomskih slojeva (Atomic Layer Deposition, ALD) ili depozicije atomskih slojeva potpomognute plazmom (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD), u matrici materijala mogu ostati različite nečistoće, npr. vodik u cinkovom oksidu ili klor u titanijevom dioksidu. Koncentracije i vrste nečistoća i točkastih defekata mogu imati ključnu ulogu u kemijskim i fizikalnim svojstvima materijala, npr. utjecati na vodljivost materijala ili njegovu kristalnu strukturu.

U našim istraživanjima proučavali smo prisutnost rezidualnog klora u tankim TiO2 filmovima narastanima ALD i PEALD tehnikama, pomoću masenog spektrometra sekundarnih iona (SIMS) i spektroskopijom fotoelektrona rendgenskim zrakama (XPS).
 

Također, istražena je mogućnost kontrole veličine zrnaca TiO2 filmova anatazne faze narastanih na različitim podlogama. Istovremeno, proučio se utjecaj temperature ALD procesa na kristaliničnost i veličinu zrnca. Morfologija dobivenih ALD filmova analizirana je pretražnim elektronskim mikroskopom (eng. Scanning Electron Microscope, SEM)
 


Proučavali smo svojstva zaštitnih tankih Al2O3 filmova narastanih ALD i PEALD tehnikama na površini celuloze. Tanki slojevi Al2O3 filmova na površini vlaknastih celuloznih materijala učinkovito spriječavaju difuziju kisika i spontano zapaljenje celuloze pri povišenim temperaturama.
 


 
 
 
.